他表示，由于已經(jīng)有了經(jīng)驗(yàn)，第二套 High NA EUV 光刻系統(tǒng)的安裝速度比第一個(gè)還要更快。據(jù)稱，High NA 所需的所有基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)到位并開始運(yùn)行。用于 High NA 的光刻掩模檢測(cè)工作已經(jīng)按計(jì)劃開始進(jìn)行。因此，英特爾無(wú)需做太多輔助支持工作即可將其投入生產(chǎn)。

Mark 還被問(wèn)到了關(guān)于 CAR（化學(xué)放大抗蝕劑）與金屬氧化物抗蝕劑的問(wèn)題，他表示 CAR 目前還夠用，但可能在未來(lái)某個(gè)時(shí)候需要金屬氧化物光刻膠。英特爾目標(biāo)插入點(diǎn)是 Intel 14A 工藝（IT之家注：預(yù)計(jì) 2026~2027 年量產(chǎn)），這可能比預(yù)期的要更快。